我想問一下板上的前輩們
就是我老闆要我利用density of state的積分 ∫√εdε /(exp(ε-μ)/kT +1)
求 GaAs在0~1000 k 之間
在不同的electron concentration下
chemical potential跟溫度T的關係圖

我想問的是這個積分我是該從E = 0的地方開始積嗎?
我從書上看 f(ε)*D(ε) 是從ε=0開始積

可是我老闆說在半導體表面地方 會產生bending(類似p-n junction)
然後他標明的chemical potential的位置卻在band gap上面
所以我不懂我是該從ε= Eg開始往上積 or ε=0....
希望有人指導一下~~~thx


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  │^^^^^^^此處會產生bending
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    ^^^^^^^^ 此處也是

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