我的基板材料是GaAs

     在台灣我做P ohmic　是鍍 Ti/Pt/Ti/Au 700A/500A/200A/3000A

               anneal 每分鐘升100度　425度 2分鐘　裡頭充氮氣


　　　　　　　Ｎ　ohmic 是鍍　Au,Ge,Ni合金/Au 1500A/3000A

              anneal 每分鐘升100度　385度 2分鐘　裡頭充氮氣


    在新學校,由於機器設備限制,我參考畢業學長的論文

　　基板材料還是GaAs

    P ohmic　是鍍 Pd/Zn/Pd/Au 100A/200A/200A/3000A

    Ｎ　ohmic 是鍍　Ni/Ge/Au/Ti/Au 250A/325A/650A/200A/3000A

    anneal 是用充氮氣的箱子裡頭兩個Hot plate

    250度 30秒 再400度 1分鐘 再250度 30秒(P和N共做一次)

  這幾天學校有找到台RTA的機器

  能否煩請有經驗的版友提供我

  在GaAs基板

   P ohmic　Pd/Zn/Pd/Au 100A/200A/200A/3000A

   Ｎ　ohmic Ni/Ge/Au/Ti/Au 250A/325A/650A/200A/3000A

  RTA的溫度和時間,每分鐘升溫速度等參數..金屬厚度的部分若板友有較佳的條件

  也煩請分享與提供,感激不盡,謝謝!!

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  不再想,不再愛,不再懂,不再繼續
  心就像漏水的房間而自己太多的重疊反而模糊
  失去的不必再追回,那個刻意塵封的記憶從此沒有遺憾



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