[領域] 半導體物理

[來源] 課本習題

[題目] An unknown semiconductor has E_g =1.1eV and N_c=N_v,It is doped with

       10^15(cm^-3) donors where the donor level is 0.2eV below E_c.

       Given the E_F is 0.25eV below E_c,calculate n_i and the concentration

       of electrons and holes in the semiconductor at 300K.


[瓶頸] 主要是我不了解當N_c=N_v時會有什麼特別性質出現　
　　　　我想利用concentration of electrons的公式

                n_0=N_c*exp[-(E_c-E_F)/KT]

               concentration of holes的公式


                p_0=N_v*exp[-(E_F-E_v)/KT]

　　　　　　　
　　　　　　　　和　n_i=(n_0*p_0)^1/2    來解這題

　　　　　　　　
　　　但又不確定如何代公式　故希望各位高手能夠賜教　謝謝！！






--
※ 發信站: 批踢踢實業坊(ptt.cc) 
◆ From: 123.192.98.46