看到你的問題
我的第一個直覺就是把最外兩層LEAD拆掉
中間的獨立系統用tight-binding求H0進而求G0
再求self-energy代入Dyson's Eq. 求全系統G最後得出結果


另外
如果系統達到奈米尺度的話
可以試著再做DFT求H，然後與用tight-binding的結果做比較

關於邊界值的問題，如果你能想個模型只用量子物理就可解
那倒也是個不錯的題目

※ 引述《pipidog (如果狗狗飛上天)》之銘言：
: 一般我門在處理一個無窮大的系統的問題時,經常採用的作法是
: 取一個有限大的系統,在系統的邊界給予週期性邊界條件來取代.
: 簡化一下我問題變成一維的好了,如果是一個two prob的系統,
: 兩邊各一個lead,都是半無窮長,中間一個conductor,若兩個lead
: 並不是同樣的材料,這個時候很明顯的,再把兩個lead的頭尾接起
: 來是不正確的,如果是這種系統,該怎麼取邊界條件?
: 如果沒有要做自洽場還好,那就是算無窮長的lead貢獻出的self
: energy,灌到conductor就是了.也不必管邊界條件了.
: 但如果要對conductor加上兩邊各幾層lead的layer做自洽場的
: 時候.就覺得很奇怪.但是如果兩邊不接起來,又會跑出dangling
: bond ?
: 請有這方面計算經驗的人提供一下方向...感謝 >"<

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To 小天使: ??(長久以來一直認為小天使是A.I)
★小天使 請問小主人有需要天使幫忙的嗎 :) 
To 小天使: 顯示模式(應該跟Office的迴紋針問法一樣吧?)
★小天使 小主人可以再說請楚一點嗎@@? 天使有點不太知道小主人要問什麼 ^^" 
To 小天使: 你是真人還是AI阿 ★小天使 天使是真人阿 囧 (還想騙我，真無聊)

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※ 發信站: 批踢踢實業坊(ptt.cc) 
◆ From: 61.20.160.7