※ 引述《AyeTemplar (桐思呢喃)》之銘言：
: ※ 引述《socu (so cute)》之銘言：
: : [領域]近物
: : [來源]大腦一時轉不過來
: : 可見光光子能量約12400/4000A=3ev
: : 矽的gap 1.1ev  金屬鍵約1ev  分子振動能階約0.1ev
: : 所以應該在可見光下很容易就到比較高能階阿
: : 何必考慮室溫下只有0.025eV 所以一般情況很難到激發態(或者說很容易居量反置)
: : 或者說矽必須打入uv才能讓電子從valenced band 到導帶
: : 無法理解阿....
:   Silicon 的 indirect bandgap (Χ-band) 是 1.1 eV 沒錯
:   但 direct bandgap (Γ-band) 是 3.4 eV
:   所以大致來說要 3.4 eV 以上的 UV 光才能有效地激發 pure silicon
:   只有 strained Si 或 Si/Ge 才能讓能帶偏移而降低直接能隙
感謝你的回答  我大概了解了
其實我的問題不只有半導體
很多能階差不都是1電子伏特嗎
那有可見光的地方應該容易就居量反置阿
可是書上提的都是kt=1ev 需要~10000F
所以很難到激發態
觀念就卡在這邊

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