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作者AyeTemplar.bbs@ptt.cc (桐思呢喃) 看板: physics
標題Re: [題目] 很容易就到激發態阿??
時間批踢踢實業 (2008/02/22 Fri 20:27:12)
※ 引述《socu (so cute)》之銘言:
: [領域]近物
: [來源]大腦一時轉不過來
: 可見光光子能量約12400/4000A=3ev
: 矽的gap 1.1ev  金屬鍵約1ev  分子振動能階約0.1ev
: 所以應該在可見光下很容易就到比較高能階阿
: 何必考慮室溫下只有0.025eV 所以一般情況很難到激發態(或者說很容易居量反置)
: 或者說矽必須打入uv才能讓電子從valenced band 到導帶
: 無法理解阿....

  Silicon 的 indirect bandgap (Χ-band) 是 1.1 eV 沒錯
  但 direct bandgap (Γ-band) 是 3.4 eV
  所以大致來說要 3.4 eV 以上的 UV 光才能有效地激發 pure silicon
  只有 strained Si 或 Si/Ge 才能讓能帶偏移而降低直接能隙

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