想請問一下

晶片.....有沒有經過快速熱退火

訊號會會差很多嗎?

我是GaAs和金鍺鎳的接面

因為退火的溫度設錯.....跟原來要退火的溫度和時間都不同

會影響很多嗎?有經驗的人可以跟我說嗎?

謝謝

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