在長SiO2的方法，我看到有用photo-CVD這種方法長

請問photo-CVD和一邊其他方法的CVD有什麼不同

文獻上說可以得到比較hogh quality SiO2 layer

為什麼呢？

不知道板上的人知道嗎？

謝謝！　


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