※ 引述《HLiNaKRbCsFr (...)》之銘言：
: 而  v                          ε
:      F  它說是 "對應到費米能量  F  的電子速度"
:                2ε_F
: 以銅來說 v  = ------- = 1.57 * 10^6  m/s
:           F     m_e
: 課本又說這個平均時間τ   事實上跟外加電位差所造成的電場無關

tau 是物體本身特性.
和 impurity 有關 ( 所有晶體的 imperfections, 包括電子對週遭charge
分布的影響都算.)
當然, 溫度也會影響 tau. ( e-e 或 e-p interactions )


: 因為 "v   is extremely high compared with the velocity change such a field
:        F
: produces"   以銅來說，附加上的飄移速度 = 0.74 mm/s
: *
: 我的問題是 v  是由於熱能所引起的的"電子擴散速度"嗎?
:             F
: 若不是，應該怎麼去歸類v  呢?
: *                      F
就 Fermi velocity.
和熱能無關. 只和能帶結構有關. =>  dE/dk  at the Fermi surface.

: *
: 我的問題是，
: 讀電子學時，課本上竟然有一段 "In the following description of current flow,
: only diffusion-current components are considered. Drift current, due to
: thermally generated minority carriers, are usually very small and can be
: neglected.
: !!!!!!   飄移速度變成熱能所造成了!!
: 而且儀器操作主因的V  ，竟然變成minority, 次要角色了!!
:                    d

例如在 biased pn junctions 的時候...
homo p-type 和 depletion layer 之間的 diffusion region.
由於 electron carrier 很少, 所以 drift current 就很少.
而這時 electron carrier 是 minority carrier, 主要是來自 thermal
excitation...量很少...
( 簡單的說....drift current 正比於電場. 但是由於他也正比於
carrier density, 在以上的情形, carrier density 來自於 thermal
excitation )

: 我現在被這兩本書弄得很混亂...
: 有請高手指點...
: *
: -------------

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