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作者rodmanrod.bbs@micro.bio.ncue.edu.tw (我能吃苦,困難全除!), 信區: physics
標題=?big5?Q?=BD=D0=AFq=A4@=A4U=A5b=BE=C9=C5=E9=AA=BA=B0=DD=C3D?=
時間吟風‧眺月‧擎天崗 (Thu Jan 4 14:33:08 2007)
轉信站: GIBBS!ccnews.ncku!news.ccns.ncku!news.mksh.phc!news.nsysu!ctu-gate!ctu-
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如果有兩個相同半導體材料:A為n-type doping濃度為6x10E16
                         B為n-type doping濃度為1X10E17


 讓當A and B相接,則其空乏區空間電荷的分布情形是怎樣?

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  Origin:  彰化師大生物系˙吟風‧眺月‧擎天崗  micro.bio.ncue.edu.tw 
  Author: rodmanrodep117.ep.NCTU.edu.tw 發表
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