轉信站: GIBBS!news2.ncku!ctu-gate!news.nctu!fu-berlin.de!newsgate.cuhk.edu.hk!n Origin: 218-166-237-230.dynamic.hinet.net DRAM上周暴跌20% 淡季效應提前引爆,動態隨機存取記憶體(DRAM)現貨價上周暴跌20%,256Mb有效測試(eTT)DDR跌至2.6美元,不少全球DRAM大廠面臨虧損壓力,但三星、力晶因具12吋廠生產成本低的優勢,不致出現轉虧。 根據集邦科技報價,256Mb DDR400報價16日以來,價格從3.7美元跌至3.1美元低點,跌幅接近兩成;eTT DDR報價則下跌25%,低點來到2.6美元,距離台灣廠商的製造成本已不遠。 業者指出,海力士、英飛凌、力晶0.11微米製程新產能大量開出,2月以來全球DRAM產能供給將增15%到20%,但市場需求疲弱,合約及現貨價本月已下挫10%到15%,eTT現貨價更跌破3美元。 模組廠商表示,春節過後亞太市場需求不振,加上歐